Silikónový doštičkový substrát

Silikónový doštičkový substrát

Náš prvotriedny substrát z kremíkovej doštičky je navrhnutý tak, aby poskytoval robustný a ultra{0}}plochý základ pre výrobu špičkových- zariadení. Optimalizované špeciálne pre200 mm (8 palcov) a 300 mm (12 palcov)na výrobných linkách polovodičov, tento substrát zaisťuje výnimočné jednotné správanie materiálu a konzistenciu na atómovej{0}}úrovni počas celého výrobného cyklu.

Kľúčové vlastnosti a technické výhody:

Tepelná stabilita:Substrát si zachováva vynikajúcu štrukturálnu integritu a minimálnu tepelnú rozťažnosť aj pri vysoko{0}}teplotných procesoch, ako je žíhanie a difúzia.

Presné ovládanie povrchu:Navrhnuté pre vysoko{0}}presnú litografiu a depozíciu, ponúkajúce-popredné TTV (Total Thickness Variation) na maximalizáciu výťažnosti čipov.

Mechanická pevnosť:Navrhnuté tak, aby vydržali dôslednú priemyselnú manipuláciu a pokročilé techniky spracovania materiálov bez zníženia spoľahlivosti.

Zameranie na čisté polovodiče:Vyvinuté výhradne pre aplikácie s vysokou{0}}čistotou, vrátaneNapájacie zariadenia (IGBT/MOSFET), integrované obvody (IC) a MEMS.

Tento substrát je ideálnou voľbou pre zlievarne a IDM, ktorí hľadajú spoľahlivú, polovodičovú-platňu, ktorá spĺňa prísne požiadavky modernej mikroelektroniky.

Populárne Tagy: substrát kremíkovej doštičky, výrobcovia, dodávatelia, továreň v Číne