Silicon Process Base
Táto silikónová procesná základňa je starostlivo navrhnutá tak, aby fungovala ako astabilná výrobná platformapre pokročilú integráciu elektronických zariadení. Podpora celého spektra od2-palcové (50 mm) až 12-palcové (300 mm), sú tieto základy navrhnuté tak, aby poskytovali-kvalitné rozhranie schopné vydržať aj tie najnáročnejšietepelné a mechanické krokybez ohrozenia štrukturálnej alebo elektrickej integrity.
Nekompromisná štrukturálna integrita:Základňa je navrhnutá tak, abyzachovať jeho integritu počas výroby, ktoré odolávajú mikro-deformácii a skĺznutiu mriežky aj počas-difúzie pri vysokej teplote a rýchleho tepelného spracovania (RTP). Táto štrukturálna odolnosť zaisťuje, že viac{3}}vrstvové zarovnania zostanú presné, čo je rozhodujúce pre vývoj logiky s vysokou-hustotou aPower IC (IGBT/MOSFET)architektúry.
Minimálne variácie procesu:Spoľahlivé správanie materiálu je základným kameňom-výťažnosti výroby. Udržiavaním vysoko rovnomerného profilu radiálneho odporu a minimalizovaním intersticiálnych nečistôt je základ nášho procesuznížiť neočakávané zmenyv rýchlosti leptania a{0}}nanášaní tenkých vrstiev. Táto konzistencia umožňuje predvídateľnejšie okno procesu v rámci rôznych výrobných šarží.
Kompatibilita s komplexnými trasami:Na mieru prekomplexné cesty spracovania, základňa bezproblémovo funguje v rámci moderných automatizovaných zlievarní. Jeho vynikajúca povrchová morfológia a profilovanie hrán podporujú dlhodobú-stabilitu počas chemickej{2}}mechanickej planarizácie (CMP) a iónovej implantácie, čím zaisťujú, že hotové komponenty spĺňajú najprísnejšie normy spoľahlivosti v automobilovom a priemyselnom sektore.
