Hlboký-ingot kryštálového kremíka

Hlboký-ingot kryštálového kremíka

Deep-Crystal Silicon Ingot je určený pre-výrobcov s veľkým objemom, ktorí presadzujú väčší formát doštičiek a minimálnu stratu výkonu-v súvislosti s okrajmi. Uvedomujúc si, že „účinná plocha“ plátku je daná jednotnosťou zdrojového ingotu, tieto materiály sa pestujú pomocou vlastnéhoTepelné-rozšírenie poľaprotokol. Táto hlbšia kryštalická integrita znižuje-premenlivosť plátku od jadra až po samotný okraj ingotového stĺpca, čím podporuje agresívne stratégie riedenia (až po85–90 μm) bez ohrozenia mechanickej pevnosti alebo vyvolania mikro-trhlín. Výsledkom je substrát, ktorý sa správa predvídateľne vo vysokorýchlostnom -diamantovom{3}}rezaní drôtom a automatizovanom bunkovom-spracovaní. Na zaistenie okamžitej pripravenosti procesu zahŕňajú možnosti dodávky skrátené-na{7}}služby a predbežné{8}}kontrolné správy pokrývajúce hustotu vnútorných defektov prostredníctvom skenovacej infračervenej mikroskopie (SIRM), čo umožňuje integráciu „prvý-správny{10}}čas“ do výrobných liniek úrovne 1.

Technika rozšírenej zóny tuhnutia:Naša technológia Deep{0}}Crystal využíva aktívne tepelné-tienenie a optimalizované umiestnenie téglika na vyrovnanie pevného-tekutého rozhrania. Rozšírením zóny stabilného tuhnutia minimalizujeme radiálnu distribúciu voľných miest a intersticiálnych častí, čo je primárna hnacia sila na dosiahnutie rovnomerného odporu v ingotoch s veľkým-priemerom (210 $ mm+).

Odolnosť pre agresívne stratégie stenčovania:Tieto ingoty sú špeciálne optimalizované pre ciele-úspory materiálu na rok 2026 a vyznačujú sa výnimočne vysokým profilom lomovej húževnatosti. Táto štrukturálna „pevnosť“ umožňuje ultra-tenké krájanie s minimálnou stratou zárezu, čo zaisťuje, že aj pri hrúbkach pod90 μm, doštičky si zachovávajú mechanickú tuhosť potrebnú pre-vysokorýchlostnú vákuovú manipuláciu.

Minimalizovaná hrana-súvisiaca strata výkonu:Prísnym riadením rýchlosti chladenia na vonkajšej strane ingotu eliminujeme „kyslíkový-krúžok“ a zhluky kovových zrazenín, ktoré zvyčajne zhoršujú obvod veľkých plátkov. To zaisťuje, že účinnosť článku je rovnomerná po celej ploche povrchu, čím sa maximalizuje výstupný výkon konečného modulu G12.

Populárne Tagy: hĺbkový-ingot kryštálového kremíka, Čína hĺbkový{1}}ingot kryštálového kremíka, výrobcovia, dodávatelia, továreň